ذواكر تغيير الطور مستقبل جديد للذواكر في المعالجات المضمنة

الملخص

تعد ذواكر تغيير الطور Phase-Change Memory (PCM) في يومنا هذا واحدة من أكثر الذواكر المهمة وغير المتطايرة NVM) Non-Volatile Memories)، والتي تتمتع بأداء أفضل مقارنة بالذواكر الومضية (Flash Memory) ، حيث توفر مجموعة واسعة من الميزات المثيرة للاهتمام مثل الوصول السريع للقراءة والكتابة، وإمكانات التوسعة الممتازة، وقدرة تحمل عالية ( القيمة الأعظمية للتيار المار في خلية الذاكرة دون حدوث ضجيج).

سوف نقوم في بحثنا بمقارنة ذاكرة تغيير الطور مع الذاكرة الومضية، ونعرض خلية ذاكرة تغيير الطور (PCM) الجديدة وتكاملها مع محدد selector MOSFET في تقنية CMOS القياسية 0.18 ميكرو متر.

سوف نقوم ببناء نموذج لذاكرة PCM ، والحصول على نتائج المحاكاة بعد التطبيق على برنامج Multisim، وسيتم التحقيق من الأداء العالي لخلايا PCM ومناقشة تطبيقها في الأنظمة المضمنة، وقياس أوقات الكتابة حيث تصل إلى قيم منخفضة تصل إلى 10ns و 20ns لعمليتي إعادة الضبط RESET والضبط SET على التوالي. وسنقوم بتقييم تأثير نبضة RESET على قدرة تحمل خلايا PCM.